SFH310 phototransistor equivalent, neu: npn-silizium-fototransistor new: silicon npn phototransistor.
q Especially suitable for applications from
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA) q Hohe Linearität q 3 mm-Plastikbauform Anwendungen
q Li.
from
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA) q Hohe Linearität q 3 mm-Plastikbauform Anwen.
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kol.
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